BCR 185L3 E6327
제조업체 제품 번호:

BCR 185L3 E6327

Product Overview

제조사:

Infineon Technologies

부품 번호:

BCR 185L3 E6327-DG

설명:

TRANS PREBIAS PNP 50V TSLP-3
상세 설명:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 200 MHz 250 mW Surface Mount PG-TSLP-3-4

재고:

12827081
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제출

BCR 185L3 E6327 기술 사양

카테고리
바이폴라 (BJT), 단일, 프리바이즈드 바이폴라 트랜지스터
제조사
Infineon Technologies
포장
-
시리즈
-
제품 상태
Discontinued at Digi-Key
트랜지스터 유형
PNP - Pre-Biased
전류 - 컬렉터(Ic)(최대)
100 mA
전압 - 컬렉터 이미터 고장(최대)
50 V
저항기 - 베이스(R1)
10 kOhms
저항기 - 이미터 베이스(R2)
47 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce
70 @ 5mA, 5V
Vce 포화도(최대) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 10mA
전류 - 컬렉터 컷오프(최대)
100nA (ICBO)
빈도 - 전환
200 MHz
전력 - 최대
250 mW
실장 형
Surface Mount
패키지 / 케이스
SC-101, SOT-883
공급업체 장치 패키지
PG-TSLP-3-4
기본 제품 번호
BCR 185

데이터 시트 및 문서

데이터시트
HTML 데이터시트

추가 정보

다른 이름들
BCR185L3E6327
SP000014873
BCR 185L3 E6327-DG
BCR185L3E6327XT
표준 패키지
15,000

환경 및 수출 분류

RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.21.0075

대체 모델

부품 번호
PDTA114EM,315
제조사
Nexperia USA Inc.
구매 가능 수량
6341
부품 번호
PDTA114EM,315-DG
단가
0.02
대체 유형
MFR Recommended
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제조사
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15000
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단가
0.03
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Diodes Incorporated
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제조사
NXP USA Inc.
구매 가능 수량
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단가
0.03
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